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IBSS イオンビームスパッタリング
当社は京都研究室でイオンビームの応用研究を行っています。下記は弊社のイオンビームスパッタ源です。イオンビームスパッタリングは低温での薄膜形成が可能で、素材へのプラズマの影響もない等の特徴があります。
（契約によっては同スパッタ源および電源の単体販売もいたします）
対応可能面積：実験用から量産用まで対応可能です。詳細サイズはご相談ください。
均一性： +/- 3%~5%
成膜温度： 60度～120度
対応可能膜種：SiN,SiON,ITO等連続して異なった膜種が成膜可能です。
